PIN di InGaAs 1100nm-1650nm 75um con il tipo dello Sc dello Sc ROSA InGaAs Detector Chip
Il fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm usa un chip del rivelatore di InGaAs e caratterizza un basso consumo energetico,
piccola corrente al buio, alta sensibilità, grandi linearità, progettazione compatta e piccolo volume.
L'attrezzatura è più comunemente usata nei ricevitori di CATV, nelle attrezzature di rilevazione di potere e nei ricevitori del segnale ottico per i sistemi analogici.
1. Caratteristiche:
Corrente al buio bassa, attenuazione di riflessione bassa
Alta sensibilità
Pacchetto coassiale, saldatura a laser
Risposta di impulso rapida
Alta affidabilità e vita lunga di operazione
2.Applications:
Ricevitore ottico analogico
Attrezzatura di prova
Rete di FTTH
CATV di andata/percorso di ritorno
Monitor di EDFA
Sistema di trasmissione ottico
3, caratteristiche ottiche & elettriche
Parametro | Simbolo | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità | Condizione di prova |
Lunghezza d'onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanometro | - |
Campo di potenza | P | -70 | - | +3 | dBm | V, =5V |
Diametro attivo | Annuncio | 75 | 80 | um | - | |
Corrente al buio | Identificazione | - | 0,2 | 0,5 | Na | - |
Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | λ=1310 nanometro |
0,90 | 0,95 | λ=1550 nanometro | ||||
Larghezza di banda di frequenza | Bw | 1 | 2000 | Megahertz | ||
Risposta in frequenza | Franco | - | ±0,5 | - | dB | |
Capacità | Ct | - | - | 0,75 | PF | - |
Tempo di reazione | TR | - | - | 1 | NS | - |
CSO | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Valutazioni massime assolute
Parametro | Simbolo | Valutazioni | Unità |
Temperatura di stoccaggio | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
Temperatura di funzionamento | Cima | -40 〜 +85 | °C |
Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
Tensione di funzionamento | Vop | 5 | V |
Tensione inversa del palladio | VR (PALLADIO) | 25 | V |
Impiegati di saldatura | - | 260 | °c |
Tempo di saldatura | - | 10 | s |
Caratteristiche ottiche & elettriche
Parametro | Simbolo | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità | Condizione di prova |
Lunghezza d'onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanometro | - |
Campo di potenza | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
Diametro attivo | Annuncio | 75 | um | - | ||
Corrente al buio | Identificazione | - | 0,2 | 0,5 | Na | - |
Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nanometro |
0,90 | 0,95 | 入 =1550 nanometro | ||||
Larghezza di banda di frequenza | Bw | 1 | 2000 | Megahertz | ||
Risposta in frequenza | Franco | - | 土 0,5 | - | dB | |
Capacità | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
Tempo di reazione | TR | 0,1 | - | NS | - | |
Attenuazione di riflessione | R1 | -45 | dB | |||
CSO del CSO | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell è una spina professionale in moduli coassiali del diodo del rivelatore fotoelettrico di InGaAs (recipiente attivo ottico analogico ROSA inserire)
produttore in Cina. Inoltre forniamo i diodi laser della farfalla, diodo di rivelatore coassiale del laser della treccia di InGaAs, dispositivo coassiale del laser a diodi della treccia
e più.
5. Assegnazione di Pin del palladio: