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fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs

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fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs
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Caratteristiche
Specificazioni
tipo: Fotodiodo di InGaAs con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs
Alto Responsivity: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corrente di andata: 30v
Tipo del laser: Laser della fibra
Pagamento: TT/Paypal
Tensione inversa massima: 15 (PALLADIO)
Opzioni di lunghezza: opzione di 0.1~1m
Fibra: MP 9/125
Potere: 2mW
Pacchetto: Scatola di ESD
Evidenziare:

Fotodiodo di InGaAs di piccola zona

,

fotodiodo di 1650nm InGaAs

,

Fotodiodo del laser InGaAs della fibra

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: HICORPWELL
Certificazione: ISO9001;2015
Numero di modello: Fotodiodo di InGaAs con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Scatola di ESD
Termini di pagamento: Western Union, L/C, T/T
Capacità di alimentazione: 500pcs alla settimana
Descrizione di prodotto

fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs

 

 

Il fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm usa un chip del rivelatore di InGaAs e caratterizza un basso consumo energetico,

piccola corrente al buio, alta sensibilità, grandi linearità, progettazione compatta e piccolo volume.

L'attrezzatura è più comunemente usata nei ricevitori di CATV, nelle attrezzature di rilevazione di potere e nei ricevitori del segnale ottico per i sistemi analogici.

 

fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs 0         fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs 1

 

 

Valutazioni massime assolute

 

 

Parametro Simbolo Valutazioni Unità
Temperatura di stoccaggio Tstg ~40 〜 +100 °C
Temperatura di funzionamento Cima -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Tensione di funzionamento Vop 5 V
Tensione inversa del palladio VR (PALLADIO) 25 V
Impiegati di saldatura - 260 °c
Tempo di saldatura - 10 s

 

Caratteristiche ottiche & elettriche

 

 

Parametro Simbolo Minuto. Tipo. Massimo. Unità Condizione di prova
Lunghezza d'onda λ 1100 - 1650 nanometro -
Campo di potenza P -70 - +4 dBm V=5V
Diametro attivo Annuncio   75   um -
Corrente al buio Identificazione - 0,2 0,5 Na -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanometro
  0,90 0,95 入 =1550 nanometro
Larghezza di banda di frequenza Bw 1   2000 Megahertz  
Risposta in frequenza Franco - 土 0,5 - dB  
Capacità Ct - 0,65 0,75 PF -
Tempo di reazione TR 0,1 -   NS -
Attenuazione di riflessione R1     -45 dB  
CSO del CSO - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

 

 

Hicorpwell è una spina professionale in moduli coassiali del diodo del rivelatore fotoelettrico di InGaAs (recipiente attivo ottico analogico ROSA inserire)

 

produttore in Cina. Inoltre forniamo i diodi laser della farfalla, diodo di rivelatore coassiale del laser della treccia di InGaAs, dispositivo coassiale del laser a diodi della treccia

e più.

 

Assegnazione di Pin 5.PD:

             

                                                             

                                           fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs 2

                                                                            

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   fotodiodo di InGaAs di piccola zona 1100nm-1650nm con il tipo dello Sc del chip del rivelatore di InGaAs 3

 

 

 

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